Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.А.В. Ржано
Занятость: Полная
Опыт работы: от 2
Требования:
Ведущий патентовед
Ответственность
Дисциплинированность
Должностные обязанности:
В дополнительных пожеланиях к кандидатуре работника, в бланке сведений о потребности в работниках, работодатель указал: По соответствующему профилю деятельности (бакалавриат, специапитет) и профессиональная подготовка по программе патентоведения с присвоением квалификации, либо магистратура по направлению "Юриспруденция" по соответствующему профилю в сфере интеллектуальной собственности, либо аспирантура со специализацией в области интеллектуальной собственности. Требования к опыту практической работы 2 года.
Условия работы:
В дополнительных пожеланиях к кандидатуре работника, в бланке сведений о потребности в работниках, работодатель указал: По соответствующему профилю деятельности (бакалавриат, специапитет) и профессиональная подготовка по программе патентоведения с присвоением квалификации, либо магистратура по направлению "Юриспруденция" по соответствующему профилю в сфере интеллектуальной собственности, либо аспирантура со специализацией в области интеллектуальной собственности. Требования к опыту практической работы 2 года.
Адрес: Новосибирск, пр-кт Академика Лаврентьева, д. 13
Контактное лицо: Золотарская Маргарита Александровна
Телефон: +7(383)3332472
